• Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т913А фото 1

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т913А

Average: 5.8 (22 votes)
Под заказ

Связаться с менеджером

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор «2Т913А» в металлическом корпусе. Предназначен для использования в усилителях мощности, умножителях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С.

Обозначение технических условий

  • Я53.365.010ТУ,
  • Я53.365.010ТУ/Д1

Корпусное исполнение - корпус КТ-16-2.

Технические характеристики
Параметры Буквенное обозначение Единица измерения Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 55
Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10Ом) Uкэ max В 55
Напряжение эмиттер-база Uэб max С 3,5
Постоянный ток коллектора Iк max А 0,5
Температура перехода Тj C 150