Микросхема К1482ФП2Н4

Микросхема защиты светоизлучающих диодов (СИД) "К1482ФП2Н4" (IL7169M) с низким падением напряжения, рассчитанная на 500 мА тока шунтирования, предназначена для параллельного соединения с мощным СИД. ИС шунтирует управляющий ток в случае разомкнутой цепи СИД, а также шунтирует управляющий ток при обратном включении СИД.Низкий рабочий ток в режиме контроля и высокий ток шунтирования в задающем режиме.

Зарубежный прототип - AMC7169. Обозначение технических условий АДКБ.431140.119 ТУ. Корпусное исполнение – кристаллы на общей пластине.

Особенности

• Задающее напряжение защиты – 5В,
• Ток шунтирования – 500 мА,
• Падение напряжения на шунте – 1В,
• Защита от статического электричества – 8 кВ.

Требования к электрическим параметрам и режимам

Параметры микросхем в составе ГС в течение наработки в пределах времени, равного сроку сохраняемости, должны соответствовать нормам для крайних температур.

Механические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ 11 073.920, в том числе линейное ускорение 5000 м/с2 (500 g). Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ 11 073.920, в том числе:

• пониженная рабочая температура среды минус 45 С;
• повышенная рабочая температура среды 85 С;
• изменения температуры среды от минус 45 до 85 С.

Микросхемы должны допускать эксплуатацию после их транспортирования в нерабочем состоянии при пониженной предельной температуре среды минус 60 С.

Требования к надежности

• Наработка микросхем в составе ГС (микросборок) 25000 ч.
• Срок сохраняемости микросхем до момента их герметизации в составе ГС по ОСТ 11 073.920.