• Транзистор КТ814А фото 1

Транзистор КТ814А

Average: 8 (1 vote)
Под заказ

Связаться с менеджером

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ814А предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Особенности

  • Диапазон рабочих температур: - 60 до + 125 C
  • Комплиментарная пара – КТ815

Обозначение технических условий

  • аАО. 336.184 ТУ / 02

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ814А, Б, В, Г
  • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ814А9, Б9, В9, Г9
Назначение выводов
Вывод

(корпус КТ-27)

 Назначение

(корпус КТ-27)

 Вывод

(корпус КТ-89)

 Назначение

(корпус КТ-89)
№1 Эмиттер №1 База
№2 Коллектор №2 Коллектор
№3 База №3 Эмиттер
Основные электрические параметры КТ814 при Токр. среды = 25 С
Параметры Обозначение Ед. измер Режимы измерения Min Max
Граничное напряжение колл-эмит Uкэо гр. В Iэ=50mA,

tи=0,3 - 1 мс

 30 -
КТ814А, А9
КТ814Б, Б9 45
КТ814В, В9 65
КТ814Г, Г9 85
Обратный ток коллектора

КТ814А, А9, Б, Б9

КТ814В, В9, Г, Г9

 Iкбо мкА Uкэ=50 В

Uкэ=65 В

 - 50

50
Обратный ток коллектор-эмиттер

КТ814А, А9, Б, Б9

КТ814В, В9, Г, Г9

 Iкэr мкА Uкэ=50 В, Rбэ<100 Ом

Uкэ=65 В, Rбэ<100 Ом

 - 100

100
Статический коэффициент передачи тока h21э - Uкб=2 B, Iэ=0,15A 40 275
КТ814А, А9, Б, Б9, В, В9
КТ814Г, Г9 30 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас В Iк=0,5 A, Iб=50 мA - 0,6
Предельно допустимые электрические режимы КТ814
Параметры Обозначение Единица измер. Значение
Напряжение  коллектор-эмиттер  (Rэб<100Ом) Uкэ max В 40
КТ814А, А9
КТ814Б, Б9 50
КТ814В, В9 70
КТ814Г, Г9 100
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 5
Постоянный ток коллектора Iк max А 1,5
Импульсный ток коллектора Iки max А 3
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 0,5
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max Вт 10
Температура перехода Tпер C 150